
集成電路
PVD成膜速率快、厚度及均勻性可控、膜層致密、粘結力強、純凈度高,對于集成電路的性能和穩定性至關重要,是集成電路制造過程中不可或缺的工藝環節,主要用于制備各類高質量金屬涂層,如銅(Cu)互連、鋁墊層(Al Pad)、金屬硬掩膜(Metal Hardmask)、金屬柵(Metal Gate)和硅化物(Silicide)等,也是薄膜電阻器、薄膜電容器以及薄膜溫度傳感器等關鍵組件的重要組成部分,Arisimit®涂層精確控制材料沉積過程,賦予器件優異的電學特性和長期可靠性。
集成電路
集成電路
PVD成膜速率快、厚度及均勻性可控、膜層致密、粘結力強、純凈度高,對于集成電路的性能和穩定性至關重要,是集成電路制造過程中不可或缺的工藝環節,主要用于制備各類高質量金屬涂層,如銅(Cu)互連、鋁墊層(Al Pad)、金屬硬掩膜(Metal Hardmask)、金屬柵(Metal Gate)和硅化物(Silicide)等,也是薄膜電阻器、薄膜電容器以及薄膜溫度傳感器等關鍵組件的重要組成部分,Arisimit®涂層精確控制材料沉積過程,賦予器件優異的電學特性和長期可靠性。